Реферат: Расчет и проектирование в тонкопленочном исполнении усилителя мощности

Реферат: Расчет и проектирование в тонкопленочном исполнении усилителя мощности

ВПУ-313.

Предмет: Проектирование РЭА.

Группа: РА-6.

КУРСОВОЙ ПРОЕКТ.

На тему: Расчет и проектирование в тонкопленочном

исполнении схемы усилителя мощности.

Учащегося: Короткова Е. В.

Преподаватель:

Даниелян В.С.

Дата выдачи задания:

Дата окончания проектирования:

Москва 1997г.

Схема усилителя мощности.

Эта схема представляет собой усилитель мощности на биполярном транзисторе, включенном по схеме с ОЭ. Переходной конденсатор C1 пропускает во входную цепь переменную составляющую напряжения источника сигнала и не пропускает постоянную составляющую. Блокирующий конденсатор C2 шунтирует резистор R4 по переменному току, исключая тем самым отрицательную обратную связь по переменным составляющим. Отсутствие конденсатора C2 привело бы к уменьшению усиления каскада. В области низших частот на работу усилителя оказывают влияние переходной и блокирующий конденсаторы, в области высших частот – частотная зависимость коэффициента тока базы, коллекторная емкость и емкость нагрузки.

Описание элементов.

Резисторы:

Конденсаторы:

Выбор метода изготовления тонкопленочной ГИМС.

Исходя из данных видно, что погрешность изготовления резисторов и конденсаторов не более 10%. Для изготовления схемы усилителя мощности выбираем метод фотолитографии, т. к. этот метод дает более высокую точность изготовления ГИМС и более высокий процент выхода годных изделий при серийном и крупносерийном производстве.

Расчет конденсаторов.

1. Выбор материала диэлектрика.

Выбор материала диэлектрика производят по таблице 3, исходя из

исходных данных.

Для C1 – электровакуумное стекло C 41 - 1.

Для C2 – электровакуумное стекло C 41 - 1.

Материалом обкладок для этих конденсаторов будет Al.

1. Определение уточненной толщины диэлектрика.

d=0,0885*/Co

d=0,02301 мм

1. Определение площади перекрытия обкладок конденсаторов.

S=C/Co*Кз

SС1=20 мм*мм

SС2=550 мм*мм

1. Определение размеров обкладок конденсаторов.

Размеры верхних обкладок конденсаторов будут равны:

__

lв.о.= bв.о.= S

lв.о.С1= bв.о.С1=4,472 мм

lв.о.С2= bв.о.С2=23,452 мм

Размеры нижних обкладок конденсаторов, с учетом допусков на

перекрытие, будут равны:

lн.о.=bн.о.= lв.о.+2(l+g)

lн.о.С1=bн.о.С1=4,922 мм

lн.о.С2=bн.о.С2=23,902 мм

1. Определение размеров межслойного диэлектрика.

lд/э= bд/э =lн.о.+ 2(l+f)

lд/э С1=bд/э С1=5,372 мм

lд/э С2=bд/э С2=24,352 мм

1. Определение площади, занимаемой конденсаторами, по размерам диэлектрика.

S = lд/э* bд/э

SС1 = 28,858 мм*мм

SС2 = 593.0199 мм*мм

Расчет резисторов.

1. Выбор материала резистивной пленки.

Для R1 - нихром X20H80.

Для R2 - нихром X20H80.

Для R3 - нихром X20H80.

Для R2 - нихром X20H80.

Проверим, правильно ли выбран материал резистивного слоя.

ф = R/R*100 - s/s*100;

ф1 = 0,3212

ф2 = 0,0542

ф3 = 0,0267

ф4 = 0,6167

Резистивный материал выбран верно т.к. ф1;  ф 2;  ф 3;  ф 4 > 0

Вкачестве материала контактных площадок используем Cu.

1. Определение коэффициента формы резисторов.

Коэффициент формы определяется по формуле: Kф=;

Кф1 = 7,3

Кф2 = 1,6

Кф3 = 15

Кф4 = 0,4

1. Определение конструкции резисторов по величине коэффициента формы.

Для R1 - Форма прямоугольная, т.к. 1  Кф  10

Для R2 - Форма прямоугольная, т.к. 1  Кф  10

Для R3 - Форма составной меандр, т.к. 10  Кф  50

Для R4 - Форма прямоугольная, т.к. Кф < 1, но получается, что

ширина > длины

1. Определение ширины резисторов.

Рассчёт точной ширины резисторов производится по формуле:

bточн= (l/Кф+b)/ф;

Рассчёт ширины резисторов с учетом их мощности:

bр= ;

Для R1 - bр = 0,58 мм

Для R2 - bр = 0,88 мм

Для R3 - bр = 0,15 мм

Для R4 - bр = 1,76 мм

Для R1 - bточн = 0,8849 мм

Для R2 - bточн = 4,9 мм

Для R3 - bточн = 9,9875 мм

Для R4 - bточн = 1,4188 мм

Выбираем из всех значений ширины сопротивления максимальное

значение:

R1 max [ bтехн=0.1мм bточн=0,88 мм bp=0,58 мм] b1=0,88 мм

R2 max [ bтехн=0.1мм bточн=4,9 мм bp=0,88 мм] b2=4,9 мм

R3 max [ bтехн=0.1мм bточн=9,98 мм bp=0,15 мм] b3=9,98 мм

R4 max [ bтехн=0.1мм bточн=1,41 мм bp=1,76 мм] b4=1,76 мм

Расчет длины резисторов.

Расчетная длина резистора определяется как: Lрасч = b*Kф;

Полная длина резистора определяется как: Lполн = Lрасч +2h;

Lрасч R1 = 6,424 мм

Lрасч R2 = 7,84 мм

Lрасч R3 = 149,7 мм

Lрасч R4 = 0,704 мм

Lполн R1 = 6,624 мм

Lполн R2 = 8,04 мм

Lполн R3 = 149,9 мм

Lполн R4 = 0,904 мм

1. Расчет площади резисторов.

S = Lполн * b

SR1 = 5,829 мм*мм

SR2 = 39,396 мм*мм

SR3 = 1496 мм*мм

SR4 = 1,59 мм*мм

Все полученные значения резисторов приведены в таблице:

Расчет площади поверхности.

1. Площадь подложки расчитывается по формуле:

Sподл.= KS;

SR = R1+R2+R3+R4

SR = 1542,81 мм*мм

SC = C1+C2

SC = 621,87 мм*мм

SКП = 48 мм*мм

SН.Э.= 120 мм*мм

При KS = 2 получается:

Sподл.= 2332,68 мм*мм

Sфакт.подл.= 45 * 52 = 2340 мм*мм