Курсовая работа: Пространственно-временной коммутатор 7x7

Рис. 4.2. Микросхема К155ИД10.
Таблица 4.3
Состояния дешифратора К155ИД10
Входы |
Выходы DO |
E |
DI4 |
DI2 |
DI1 |
0 |
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
6 |
7 |
0 |
0 |
0 |
0 |
1 |
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
1 |
0 |
1 |
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
1 |
0 |
0 |
0 |
1 |
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
1 |
1 |
0 |
0 |
0 |
1 |
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
1 |
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
1 |
0 |
0 |
0 |
0 |
1 |
0 |
1 |
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
1 |
0 |
0 |
0 |
1 |
1 |
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
1 |
0 |
0 |
1 |
1 |
1 |
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
1 |
1 |
X |
X |
X |
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
4.3 Речевое и адресное запоминающие
устройства
Для унификации элементов в качестве
РЗУ и АЗУ используем БИС статического оперативного запоминающего устройства.
Тип микросхемы выбираем по критериям
быстродействия и емкости. Быстродействие запоминающего устройства определяется
временем выборки адреса:

где Тц =125 мкс - длительность цикла; – количество каналов,
которое должно быть коммутировано (в принципе, для работы данного коммутатора
достаточно каналов,
однако, чтобы не нарушать типовую структуру коммутатора, с восьмой тракт будем
записывать только нули или единицы).

Емкость запоминающего устройства
определяется числом входящих ИКМ трактов и разрядностью передаваемых сигналов.
Как уже отмечалось, для реализации варианта пространственно-временного
коммутатора 7х7 достаточна емкость 168 слов по 8 бит каждое, однако для расчета
принимаем емкость запоминающих устройств в коммутаторе 8х8 (т. к. в данном
проекте не производим преобразование частоты, и имеем в параллельном коде 8
битные каналы, из которых 1 бит не несет полезной информации) равную 192 слова
по 8 бит.
РЗУ работает с управлением по записи,
причем учитывается сквозная нумерация, приведенная в приложении А, номера
входящих сдвигаем на 8 позиций (рассматриваем 18 входящий – подразумеваем 10).
РЗУ и АЗУ построены на основе
микросхемы КМ185РУ7. Параметры микросхемы, назначение выводов и таблица
истинности микросхемы КМ185РУ7 приведены в таблицах 4.4–4.6.

Рис. 4.3. Микросхема КМ185РУ7.
Таблица 4.4
Параметры микросхемы КМ185РУ7
Информационная
емкость |
1024 бит |
Организация |
256 слов´4 разряда |
Напряжение
питания |
5 В 5%
|
Потребляемая
мощность |
не более 710
мВт |
Диапазон
температур |
-10…+700С |
Совместимость
по входу и выходу |
с ТТЛ -
схемами |
Входное
напряжение
низкого
уровня
высокого
уровня
|
не более 0,8 В
не менее 2,1 В
|
Входное
напряжение
низкого
уровня
высокого
уровня
|
не более 0,45
В
не менее 2,4 В
|
Входной ток
низкого
уровня
высокого
уровня
|
не более 0,3
мА
не менее 0,04
мА
|
Выходной ток
низкого
уровня
высокого
уровня
|
не более 8 мА
не менее 5,2
мА
|
Время выборки
адреса tА(А) |
не более 45 нс |
Время выбора tСS |
не более 30 нс |
Время выборки
считывания tА(RD) |
не более 40 нс |
Время выборки
сигнала разрешения по выходу tА(СЕО) |
не более 30 нс |
Время
установления сигнала записи относительно адреса tSU(А-WR) |
не менее 10 нс |
Время
установления сигнала записи относительно входных данных tSU(DI-WR) |
не менее 5 нс |
Длительность
сигнала записи tW(WR) |
не менее 30 нс |
Время
сохранения адреса после сигнала записи tV(WR-A) |
не менее 5 нс |
Время
сохранения входных данных после сигнала записи tV(WR-DI) |
не менее 5 нс |
Время восстановления
высокого сопротивления или время восстановления высокого уровня при подключении
RL к UCC после сигнала СS tDIS(CS) |
не более 30 нс |
Время восстановления
высокого сопротивления или время восстановления высокого уровня при подключении
RL к UCC после сигнала СЕО tDIS(CEO) |
не более 30 нс |
Время восстановления
высокого сопротивления после сигнала считывания tDIS(RD) |
не более 35 нс |
Время цикла
записи tCY(WR) |
не менее 45 нс |
Страницы: 1, 2, 3
|